ICP-OES

XRD

X-ışını kristalografisi; X-Işını demetindeki ışınların kristale özel çeşitli yönlerde kırınımı olayına dayanan, bir yöntemdir. Toz, ince film, bulk malzemeler analiz edilebilmektedir. X-Işını Kırınım analiz metodu, analiz sırasında numuneyi tahrip etmez ve çok az miktardaki numunelerin dahi analizlerinin yapılmasına olanak sağlar. XRD cihazıyla numunelerin kırınım profilleri ile birlikte faz analizi (search match) ve Rietveld analizleri (yapı çözümleme) de yapılabilmektedir.XRD ölçümleri malzemedeki fazlar, fazların oransal miktarları, kristal boyutu, örgü parametreleri, yapıdaki değişimler, kristal yönlenmesi ve atom pozisyonları hakkında bilgi verir.

Teknik Özellikler

X-Işını Kaynağı: Cu-Kα, Ni filtreli
Kaynak Voltajı: 10-60 kV
Kaynak Akımı: 5-60 mA
Maksimum Çıkış Gücü: 3 kW
Normal Tarama Hızı: 0,1°(2ϴ/s)
Tarama Aralığı: -111°<2 ϴ <168°

  • Sentezlenen malzemenin yapısal analizi
  • Metal ve alaşım analizleri
  • Jeolojide minerallerin ve kayaçların tanımlanması
  • Malzemedeki polimorfların ve safsızlıkların tespiti
  • Kumaşlarda difraksiyon çekimi
  • Polimerlerin analizi
  • İnce film kompozisyonu tayini
  • Arkeolojide tarihi yapıları oluşturan malzemelerin tayini